低场NMR和MRI的快速MOSFET RF开关
元数据
显示完整的项目记录作者
纳彻(Nacher),皮埃尔·简(Pierre-Jean)
Kumaragamage,萨希卡
Tastevin,Geneviève
Bidinosti,克里斯托弗
日期
2019-11-02引用
Nacher,Pierre-Jean,Sashika Kumaragamage,GenevièveTastevin和Christopher Bidinosti。“低场NMR和MRI的快速MOSFET RF开关。”磁共振杂志310(2019):第1条。106638. doi:10.1016/j.jmr.2019.106638。
抽象的
发射阵列空间编码(TRASE)MRI使用不同发射线圈产生的RF脉冲的火车。对于低和超低的MRI而言,涉及销钉二极管的常用线圈开关太慢,并且通常在脉冲之间引入等待时间,通常只要每个脉冲中的每个脉冲中的几毫升中的每个脉冲。描述并表征了基于MOSFET的RF开关。它最多有数百个kHz,可以将RF电流从单个放大器转换为几个线圈,具有足够的隔离比和脉冲之间可忽略不计的线圈。另外,可用于以串联的RF线圈突然停止或启动脉冲,以避免与Q-因子相关的上升和降落时间。RF能量可以有效地存储在调谐电容器中长达几秒钟。除Trase MRI外,这种能量存储方法可能会在快速重复的自旋回波实验中找到应用。在这里,当使用MOSFET开关代替快速芦苇继电器时,证明了TRASE相位编码的三倍加速度。